阻垢劑（分散劑）

阻垢劑不僅能能阻止難溶鹽結晶、結垢、沉淀形成，還能分散難溶鹽、金屬氧化物、氫氧化物、硅酸聚合物、膠體物質、生物污染物的化學物質。大多數阻垢劑是一些專用有機合成聚合物（比如聚丙烯酸、羧酸、聚馬來酸、有機金屬磷酸鹽、聚膦酸鹽、膦酸鹽、陰離子聚合物）等，這些聚合物的分子量在2000－10000道爾頓不等。

阻垢原理

無機垢的形成過程可分為下面3個步驟：

①形成過飽和溶液；

②生成晶核；

③晶核成長，形成晶體；

這3個步驟中有一個遭到破壞，結垢過程即被減緩或抑制。阻垢劑的作用就是有效阻止這些步驟中的一個或幾個，以達到阻垢目的。阻垢劑千擾晶體生長的機理有如下幾種說法

1、鰲合增溶作用

螯合增溶作用是指阻垢劑與水中Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+等高價金屬離子絡合成穩定的水溶性螯合物，使水中游離態鈣、鎂離子的濃度相應降低，這樣就好像使CaCO3等物質的溶解度增大了，本來會析出溶液的CaCO3等物質實際上沒有形成沉淀。

閾限效應阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢劑，就能穩定溶液中大量的結垢離子，它們之間不存在嚴格的化學計量關系，當阻垢劑的量增至過大時，其穩定阻垢作用并無明顯改進。

2、晶格畸變作用

晶體正常形成的過程是微粒子（離子、原子或分子）根據特定的晶格方式進行十分有規則的排列，從而形成外形規則、熔點固定、致密堅固的物質結構。所謂晶體畸變是指在晶體生長的過程中，常常會由于晶體外界的一些原因，而使得晶體存在空位、錯位等缺陷或形成鑲嵌構造等畸變，其結果使同一晶體的各個晶面發育不等。晶體中這種局部組分的差異會導致晶體內部的應力，晶體本身與鑲嵌物質脫脹系數的不同也會導致應力。這些應力使晶體不穩定。當環境發生某些變化時，大晶體便會碎裂成小晶體。

阻垢劑分子由于吸附在位于晶體活性生長點的晶格點陣上，使晶體不能按照晶格排列正常生長，使晶體發生畸變，使晶體的內部應力增大導致晶體破裂，從而防止微晶沉積成垢，達到阻垢目的。

3、吸附與分散作用

阻垢分散劑屬于陰離子有機化合物，可因物理化學吸附作用而吸附于膠體顆粒及微晶粒子上，在顆粒表面形成新的雙電層，改變顆粒表面原來的電荷狀況。于是，因同性電荷相排斥而使它們穩定地分散在水體中。

阻垢劑的合理添加阻止了反滲透RO系統中進水和濃水的難溶鹽結垢生長，提高了系統的極限回收率上限，降低了系統穩定運行結垢風險。

阻垢劑/分散劑注入系統的設計應該保證在進入RO系統之前得到充分混合。大多數系統的加藥點設在RO進水保安過濾器之前，通過在過濾器中的緩沖時間及RO高壓泵的攪拌作用來促進混合。如果系統采用加酸調節pH，推薦加酸點要在上游足夠遠的地方，在到達阻垢劑/分散劑注入點之前已經完全混合均勻。

阻垢劑/分散劑的加藥泵要調到較高的運行頻率，建議的頻率是不低于5秒鐘一次。阻垢劑/分散劑的典型添加量為2－6ppm，一般采用3ppm投加量。可以根據現場實際情況，對藥劑進行稀釋。稀釋了的阻垢劑/分散劑在儲槽中會被生物污染，所以稀釋液的保留時間應在7－10天左右。正常情況下，未經稀釋的阻垢劑/分散劑不會受到生物污染。